产品中心
0
下载datasheet
参与购物车
珍藏
- 产品介绍
- 技术资料
- 参数对比
产品特点
个性：
- 切合汽车利用要求
- 切合AEC-Q100
- 器件温度1级：-40oC至125oC环温工作领域
- HBM ESD等级H2
- CDM ESD等级C3B - 宽供电领域：4.5V-24V
- 峰值源电流和灌电流：4A
- 支持双通路并联输出提供更高驱动电流
- 支持负压输入：低至-5V
- 输入兼容TTL电平
- 输入传输延长：13ns
- 典型上升和降落功夫：8ns
- 典型延长匹配功夫：1ns
- 低静态电流：55uA
- 输入浮空时输出为低
- 双通路独立的EN引脚
- 过温 ；ぃ170°C
- 选取SOP-8封装
描述：
SCT52240Q是一款宽供电领域，双通路，高速的低侧栅极驱动器，合用于驱动功率MOSFET或IGBT。其每个通路都能提供高达4A的峰值源电流和灌电流能力，可实现轨到轨的输出驱动。其24V的供电耐压加强了应对功率器件开关瞬态振铃的接受能力。
SCT52240Q占有低至13ns的输入到输出传输延长，使得其极度适合高频功率变换器利用。
SCT52240Q拥有宽输入迟滞，兼容TTL电平 ；同时可接受低至-5V的负压输入，加强了输入抗噪性。
SCT52240Q极低的静态电流可降低功率变换器的待机功耗。SCT52240Q的各通路驱动电路选取了无交叠设计，预防了输出级共通的风险。两个通路的输入引脚INA和INB占有严格匹配的传输延长，且其输出端设有强造的死区功夫，这使得两个通路可能并联输出，为系统提供更强的驱动能力。
SCT52240Q拥有170°C的过温 ；。SCT52240Q选取SOP-8封装。
SCT52240Q占有低至13ns的输入到输出传输延长，使得其极度适合高频功率变换器利用。
SCT52240Q拥有宽输入迟滞，兼容TTL电平 ；同时可接受低至-5V的负压输入，加强了输入抗噪性。
SCT52240Q极低的静态电流可降低功率变换器的待机功耗。SCT52240Q的各通路驱动电路选取了无交叠设计，预防了输出级共通的风险。两个通路的输入引脚INA和INB占有严格匹配的传输延长，且其输出端设有强造的死区功夫，这使得两个通路可能并联输出，为系统提供更强的驱动能力。
SCT52240Q拥有170°C的过温 ；。SCT52240Q选取SOP-8封装。
利用：
- IGBT/MOSFET栅极驱动
- 变频器
- 开关电源
- 电机节造
- 光伏逆变器
技术资料
| 标题 | 功夫 | 下载 |
|---|---|---|
| SCT52240QSTDR-靠得住性汇报011129 R0.0.pdf | 2024-11-07 |
 登录下载
|
| SCT52240Q Datasheet Rev 1.1 | 2024-12-16 |
下载
|
参数对比
参与对比
低边驱动 栅极驱动器
| 对比参数 |
{{ goods }}
|
低边驱动 栅极驱动器
|
|---|---|---|
| {{ item.attr_name }} | {{ vo }} |
