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SCT52A40STDR 在供货
120V,4A峰值电流,高频半桥驱动器
SCT52A40STDR
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  • 技术资料
  • 参数对比

产品特点

个性:
 
  • 宽供电领域:8V-24V
  • 可驱动高侧和低侧N沟路MOSFET
  • 峰值源电流和灌电流:4A
  • 最大自举电压:120V
  • 内置自举二极管
  • 输入兼容TTL电平及低至-10V的负压
  • 静态电流:252uA
  • 输入传输延长:45ns
  • 延长匹配功夫:2ns
  • 7ns上升功夫和4.5ns降落功夫(1000pF负载)
  • 输入消抖功夫:15ns
  • 最幼脉冲宽度:40ns
  • 供电欠压锁定
  • 宽工作温度领域:-40°C~150ºC
  • 支持SOP-8L, ESOP-8L, DFN-9L 3mm×3mm, DFN-10L 3mm×3mm及DFN-8L 4mm×4mm等封装
 
描述:
 
SCT52A40是一款宽供电领域的高频栅极驱动器,可驱动用于半桥,全桥或降压变换器中的高侧及低侧N沟路MOSFET。其高达4A的峰值源电流与灌电流可能提高功率变换器的转换效能。
SCT52A40拥有宽输入迟滞,兼容TTL电平;同时可接受低至-10V的负压输入,加强了输入抗噪性。其HS引脚可接受低至-18V的负压尖峰,极大提升了应对开关节点噪声的能力及利用的矫捷性。
SCT52A40占有低至40ns的最幼脉冲宽度,使得其极度适合高频功率变换利用。
SCT52A40支持SOP-8L, ESOP-8L, DFN-9L 3mm×3mm, DFN-10L 3mm×3mm及DFN-8L 4mm×4mm等封装。
 
利用:
 
  • 电动工具
  • 电机驱动
  • 半桥和全桥功率变换器
  • 双管正激变换器
  • 有源钳位正激变换器

封装信息

SCT52A40STDR
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参数对比

参与对比
半桥驱动 栅极驱动器
对比参数
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半桥驱动 栅极驱动器
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