前言

磁控溅射镀膜属于物理气相沉积，，，，，，，离子在电场加速下高速轰击阴极靶材，，，，，，，靶材原子被溅射出来后沉积到被镀膜体外貌而形成薄膜，，，，，，，是用来制备薄膜质料的一种主要要领[1]。。。。。。。。它的基来源理是：真空情形中电场加速离子后形成具有高动能的离子束流，，，，，，，碰撞固体外貌，，，，，，，固体外貌的原子被溅射出并脱离固体沉积在被镀膜体外貌，，，，，，，被离子高速碰撞的固体就是爆发薄膜的泉源，，，，，，，被称之为溅射靶材[2]。。。。。。。。溅射法是一种先进的薄膜质料制备手艺，，，，，，，这种要领具有速率高和温度低两大特点[3]。。。。。。。。自20 世纪80 年月，，，，，，，信息存储、集成电路、激光存储器、液晶显示器、电子控制器等工业最先进入高速生长时期，，，，，，，磁控溅射手艺才从实验室真正进入工业化规模生产[4]。。。。。。。。我国已经逐渐成为薄膜靶材需求大国，，，，，，，在全球市场需求的拉动下，，，，，，， 我国有许多质料领域的科研院所及企业，，，，，，，开展了溅射靶材的研发和生产事情，，，，，，，并取得了很大的希望。。。。。。。。

难熔金属，，，，，，，一样平常包括钨、钽、钼、铌、铪、锆和钛，，，，，，，其熔点都在1 600 益以上。。。。。。。。钨、钼等合金质料高温强度和蠕变性能好，，，，，，，被普遍用于微电子，，，，，，，照明光源、武器系统、原子能等行业。。。。。。。。钽铌极其合金具有较低蒸气压、低热膨胀系数、优异的抗侵蚀性能，，，，，，，被普遍用于航空航天、化工装备、集成电路、核能部分[5]。。。。。。。。将难熔金属制作成靶材可将其优异性能以薄膜的形式使用。。。。。。。。表1给出了几种难熔金属靶材的应用领域。。。。。。。。

1、难熔金属靶材的类型及应用

溅射用靶材有如下几种分类要领：如按材质分靶材可分为金属靶、高分子陶瓷非金属靶和复合质料靶等。。。。。。。。如按形状尺寸可分为圆柱形、长方形、正方形板靶和管靶，，，，，，，见图1。。。。。。。。

由于一样平常常见的方靶圆靶都为实心，，，，，，，在镀膜作业中，，，，，，，圆环形的永磁体在靶的外貌爆发的磁场为环形，，，，，，，会爆发不匀称冲蚀征象，，，，，，，溅射的薄膜厚度匀称性不佳，，，，，，，靶材的使用效率约莫只有20 %～30 %。。。。。。。。而现在被推广的空心管靶可绕牢靠的条状磁铁组件一定周期旋转运动，，，，，，，360毅靶面可被匀称刻蚀，，，，，，，优势显着，，，，，，，将使用率提高到80 %[6]。。。。。。。。

1.1 钨靶

钨是难熔金属熔点最高的一种，，，，，，，具有稳固的高温特征、抗电子迁徙能力和较高的电子发射系数等诸多优点。。。。。。。。钨及钨合金靶在微电子、集成电路等行业中被大宗使用。。。。。。。。Al、Cu，，，，，，，Ag 现在是集成电路制造用得最多的互连线质料，，，，，，，一样平常来说介质层是Si 或SiO2，，，，，，，Al、Cu，，，，，，，Ag 会向介质中扩散而形成硅化物，，，，，，，从而使金属连线的电流强度急剧变弱，，，，，，，整个布线系统功效可能会因此而瓦解。。。。。。。。最好的解决计划是在布线与介质之间再举行屏障来阻挡扩散层，，，，，，，阻挡层金属是WTi。。。。。。。。

大宗试验证实，，，，，，，WTi 合金（Ti 占10 %～30 %）作为阻挡层已被乐成地应用于Al、Cu 和Ag 布线手艺。。。。。。。。由于金属W在其他金属中原子的扩散率较低，，，，，，，可阻挡扩散，，，，，，，Ti 可有用地阻止晶界扩散，，，，，，，另一方面也提高了阻挡层的黏结力和抗侵蚀性能[7-8]。。。。。。。。

钨靶还被应用于装饰镀膜行业，，，，，，，如手表、眼镜、卫生洁具、五金零件等产品，，，，，，，不但能美化外观，，，，，，，同时也具有抗磨损、侵蚀等功效。。。。。。。。近些年来装饰镀膜用靶材的需求量日益扩大[9]。。。。。。。。海内研发W靶材的主要单位有上海钢铁研究所、北京安乐科技、西北有色金属研究院、株洲硬质合金集团等。。。。。。。。

1.2 钼靶

钼具有高熔点、较低的比阻抗、高电导率、较好的耐侵蚀性而被普遍用于LCD显示屏、光伏电池中的配线、电极。。。。。。。；；；；Ｉ杏屑傻缏返淖璧膊阒柿。。。。。。。。

金属Cr 曾是LCD 显示屏配线的首选质料，，，，，，，现在超大型、高精度LCD 显示屏生长迅速，，，，，，，这对证料的比阻抗提出了更高的要求。。。。。。。。别的，，，，，，，情形；；；；；ひ脖匦杓婀。。。。。。。。金属Mo 的膜应力的比阻抗只有铬的一半，，，，，，，且不会污染情形，，，，，，，诸多优势使金属Mo 成为LCD 显示屏溅射靶材的最佳质料之一[10]。。。。。。。。

铜铟镓硒（简称“CIGS”）薄膜太阳电池是一种最具有生长远景的薄膜太阳能电池，，，，，，，具有光电转换效率高、无衰退、性能稳固、本钱低廉等诸多优点。。。。。。。。在光伏领域，，，，，，，海内外学者们对CIGS 爆发了极大的关注。。。。。。。。CIGS 薄膜太阳能电池的第五层就是背电极，，，，，，，电池的性能受背电极质料直接影响。。。。。。。。Mo溅射的薄膜热稳固性优异、电阻率较低、还能与CIGS 层团结形成优异的欧姆接触。。。。。。。。同时金属Mo 薄膜还具有与上下玻璃层和CIGS 近似的热膨胀系数等特点，，，，，，，已成为薄膜太阳电池背电极的必选质料[11]。。。。。。。。图2 是Mo 在薄膜太阳能电池中的位置[5]。。。。。。。。近些年来，，，，，，，全球的太阳能电池需求量激增，，，，，，，每年递增40 %以上。。。。。。。。据报道，，，，，，，现在天下薄膜太阳能电池年发电总量约为660 MW[10]。。。。。。。。海内研发Mo 靶的主要单位有金堆城钼业、北京安乐科技、洛阳高新四丰等。。。。。。。。安乐科技公司接纳压制-烧结-热等静压法制备的了大宗钼及其合金靶材，，，，，，，相对密度逸99 %[12]。。。。。。。。

1.3 钽靶

当大规模集成电路进入到深亚微米时代时，，，，，，，Al线对应力迁徙和电迁徙的对抗能力相对较弱，，，，，，，这将造成布线朴陋，，，，，，，导致电路系统完全失效。。。。。。。。因此，，，，，，，金属Cu 布线将成为主流。。。。。。。。Cu 比Al 具有更高的抗电迁徙能力和更低的电阻率，，，，，，，这意味着更小、更麋集的连线可以承载更强的电流。。。。。。。。低电阻提高了芯片速率。。。。。。。。现在全球130 nm、90 nm 及以下的器件生产商已经接纳

Cu 互连工艺，，，，，，，Ta成为Cu 互连的阻挡层。。。。。。。。现在，，，，，，，超大规模集成电路已逐渐生长为Cu/Ta 系[13-14]。。。。。。。。由于Cu和Si 的化学活性高，，，，，，，扩散速率快，，，，，，，易形成铜硅合金（Cu-Si），，，，，，，铜在硅中形成深的空穴，，，，，，，装备的性能被严重影响，，，，，，，最终导致系统失效。。。。。。。。Ta 及Ta的化合物具有高热稳固性、高导电性和对外来原子的阻挡作用。。。。。。。。

Cu 和Ta 以及Cu 和N 之间不反应，，，，，，，不扩散形成化合物，，，，，，，因此Ta 和Ta基膜成为阻挡层可有用避免铜的扩散[15]。。。。。。。。

我国Ta 储量资源富厚，，，，，，，但在已往对半导体溅射靶材缺乏最基本的熟悉，，，，，，，从而限制了高纯Ta 靶材的手艺生长。。。。。。。。在很长一段时间内，，，，，，，我国生产溅射靶材用的高纯Ta 质料主要依赖入口。。。。。。。。宁夏东方钽业通过多年研发，，，，，，，掌握了高纯Ta 溅射靶材质料生产工艺要领，，，，，，，填补了海内空缺。。。。。。。。宁波江丰电子质料股份有限公司也生产出了300 mm高纯Ta 溅射靶材[14]。。。。。。。。西安诺博尔稀贵金属公司也掌握高纯Ta 靶的生产工艺[16]。。。。。。。。

1.4 铌靶

近些年，，，，，，，光电手艺的生长迅速，，，，，，，Nb 薄膜质料已普遍应用于与人们现代生涯亲近相关的LCD、TFT等离子显示屏、相机镜头镀膜、光学镜头镀膜、汽车和修建工业用玻璃的制造中[17]。。。。。。。。铌靶材还用于外貌工程质料，，，，，，，如化工耐侵蚀、船舶、耐热、电子成像、信息贮存、高导电等镀膜行业[18]。。。。。。。。由于高的使用率，，，，，，，旋转空心圆管磁控溅射靶现在在业内获得普遍推广，，，，，，，铌管靶主要应用于平面显示器、先进触控屏和节能玻璃的外貌镀膜等行业，，，，，，，对玻璃屏幕起抗反射作用[19]。。。。。。。。

我国研发Nb靶的主要单位有宁夏东方钽业、西北有色金属研究院等。。。。。。。。据笔者相识，，，，，，，宝鸡佳军公司通过熔炼挤压方法生产出了外径152mm，，，，，，，内径125mm，，，，，，，长度为3 900 mm 的大2、靶材的手艺要求

为了确保沉积薄膜的质量和提高溅射效率，，，，，，，靶材的品质成为要害因素。。。。。。。。经由海内外大宗研究得出，，，，，，，对溅射靶材质量影响最大的几个因素划分为：纯净度、致密度、尺寸精度、晶粒度、织构等。。。。。。。。

2.1 纯度

溅射靶材的纯度是影响镀膜效果的主要因素。。。。。。。。靶材中的杂质和气孔中的氧和水分是沉积薄膜的主要污染源。。。。。。。。要提高溅射薄膜的性能，，，，，，，就应尽可能降低靶材中杂质含量，，，，，，，提高纯度，，，，，，，镌汰污染源，，，，，，，提高沉积薄膜的匀称性[2]。。。。。。。。差别应用领域的靶材对纯度要求差别，，，，，，，通俗镀膜用靶材要求纯度抵达99 %以上即能知足要求。。。。。。。。对靶材纯度要求较为苛刻的是微电子、显 示器等领域用，，，，，，，需要至少剖析40 个以上的杂质元素，，，，，，，纯度为99.95 %（3N5）以上方可使用[20]。。。。。。。。

2.2 致密度

溅射靶材的内部如不是很是致密，，，，，，，或存积气体，，，，，，，那么在溅射历程中气体释放将会爆发微粒直接影响镀膜质量。。。。。。。。气孔同时会导致溅射时爆发不正常放电，，，，，，，而爆发杂质粒子。。。。。。。。为了包管薄膜的质量和性能，，，，，，，必需使溅射靶材的致密度要抵达较高水平。。。。。。。。靶材致密度越高，，，，，，，其导电、导热性越好，，，，，，，强度越高等。。。。。。。。高致密度靶材镀膜有诸多优点：靶材使用寿命长，，，，，，，溅射功率。。。。。。。。，，，，，，成膜速率高，，，，，，，薄膜不易开裂，，，，，，，透光率高。。。。。。。。

2.3 微观组织

溅射速率直接受晶粒尺寸的影响，，，，，，，晶粒粗大靶材的溅射速率要比晶粒细小的靶材慢许多，，，，，，，晶粒尺寸变。。。。。。。。，，，，，，薄膜沉积速率增大。。。。。。。。而统一块靶材的晶粒尺寸整体差别较。。。。。。。。，，，，，，沉积薄膜的厚度漫衍就更为匀称。。。。。。。。金堆城钼业研发的钼靶材平均晶粒尺寸抵达50 滋m，，，，，，，属海内领先水平[21]。。。。。。。。一样平常情形下，，，，，，，由于变形量等因素影响，，，，，，，平面靶的晶粒尺寸比管状靶材更容易细小、匀称。。。。。。。。

当靶材在溅射时，，，，，，，其原子会沿着六方密排面优先溅射出来，，，，，，，因此，，，，，，，为了提高溅射镀膜速率，，，，，，，可以尽可能调解靶材结构使具有一定的晶体取向。。。。。。。。在晶粒尺寸合适的规模内，，，，，，，晶粒取向越匀称越好。。。。。。。。靶材晶粒取向还会对薄膜的厚度、匀称性都会爆发较大影响。。。。。。。。

要使靶材的微观组织具有一定的结晶取向，，，，，，，就要凭证靶材金属的微观组织特征，，，，，，，接纳差别的压力加工方法，，，，，，，再团结适当的热处置惩罚举行调解和控制。。。。。。。。海内许多单位已对差别加工方法对结晶取向的影响做了大宗研究。。。。。。。。

2.4 尺寸精度

溅射靶材在后期装配前要举行一系列机械加工，，，，，，，其加工质量和精度（平面度，，，，，，，直线度，，，，，，，粗糙度）也会影响到薄膜性能。。。。。。。。靶材溅射作业前必需与铝或无氧铜底盘（背板）毗连在一起，，，，，，，配合细密才华使靶材与背板更好的导电导热。。。。。。。。装配完毕后要使用超声波检测，，，，，，，若是两者的逍遥区域小于总接触面的2 %，，，，，，，这样才华在大功率溅射中使用[10]。。。。。。。。同样的尺寸精度要求下，，，，，，，管状靶材的机加工难度要大于平面靶材，，，，，，，由于大型管靶一样平常都接纳挤压成型，，，，，，，内孔有较深的挤压沟槽，，，，，，，这对机加造成了较大难题。。。。。。。。业内一样平常接纳高精度数控深孔钻镗床来加工内孔。。。。。。。。

3、难熔金属靶材的制备手艺

难熔金属溅射靶材的制备要领主要分为粉末冶金法和熔炼法，，，，，，，其中W、Mo多接纳粉末冶金，，，，，，，而Ta、Nb 多接纳熔炼法生产，，，，，，，详细工艺流程见图3。。。。。。。。

3.1 粉末冶金法

粉末冶金法是适合制作难熔金属溅射靶材的古板要领。。。。。。。。难熔金属熔点很高，，，，，，，该要领接纳固\ 液相烧结，，，，，，，以是在远低于其熔点的温度下使其成型；；；；；生产合金靶材时，，，，，，，两种或两种以上的合金粉末通过混料机长时间混淆匀称后加热压制，，，，，，，有用地杜绝了合金组元的偏析。。。。。。。。另外一大优点是粉末冶金法制备的靶材晶粒较细，，，，，，，可抵达100 滋m以下。。。。。。。。一样平常粉末冶金法制 备的溅射靶材多接纳冷等静压加烧结、热压烧结和热等静压三种方法。。。。。。。。其中热等静压获得的致密度最高，，，，，，，前两种要领获得的靶材致密度则相对较低。。。。。。。。因此提高粉末冶金烧结法制备靶材致密度是必需解决的要害手艺之一。。。。。。。。通过压力加工可有用改善粉末冶金靶材的致密度低的问题。。。。。。。。魏修宇[7]研究了轧制变形量对粉末冶金钨靶材致密度的影响，，，，，，，随着变形增 大，，，，，，，致密度增添，，，，，，，最高可达99.5 %以上。。。。。。。。朱琦[22]研究了挤压对粉末冶金钼管靶组织、性能以及致密度的影响，，，，，，，使钼管靶密度从烧结坯的9.8 g/cm3 增添到10.15 g/cm3，，，，，，，抵达了高致密度的要求。。。。。。。。

钨、钼溅射靶材大多接纳粉末冶金要领制备，，，，，，，由于粉末冶金的提纯能力有限，，，，，，，因此质料必需为高纯粉末，，，，，，，另外在制备历程还要严酷控制杂质元素的混入。。。。。。。。现在海内高纯金属的提纯手艺与工业蓬勃国家的差别较大。。。。。。。。郭让民[23]将仲钨酸铵重新氨溶中和，，，，，，，活性炭吸附结晶提纯，，，，，，，再经还原后制备出高纯W粉，，，，，，，可有用地深度去除杂质，，，，，，，纯度达99.99%以上。。。。。。。。

3.2 熔炼法

熔炼法是制备难熔金属靶材另一种主要的要领，，，，，，，由于难熔金属的具有高熔点，，，，，，，多接纳电子束、电弧熔炼。。。。。。。。电子束熔炼具有高温、高升温速率、高真空等优点，，，，，，，适合提纯精炼种种难熔金属。。。。。。。。电子束熔炼获得的金属铸锭致密，，，，，，，内部组织无孔隙、气孔，，，，，，，很是靠近理论密度。。。。。。。。但电子束熔炼有两大弱点：一是铸锭晶粒粗大；；；；；二是熔炼合金时关于组元蒸气压相差较大 情形下，，，，，，，会爆发偏析征象。。。。。。。。电弧熔炼适合熔炼合金，，，，，，，其铸锭致密度也很是高，，，，，，，但提纯效果缺乏电子束熔炼。。。。。。。。由于熔炼法获得的靶材晶粒粗大，，，，，，，通过压力加工和热处置惩罚可使晶粒变细，，，，，，，并获得一定晶粒取向的组织。。。。。。。。刘宁[14]研究了钽靶中{110}、{100} 、{111}三种织构的溅射速率关系，，，，，，，提出接纳热铸造强塑性变形工艺对Ta 靶举行加工，，，，，，，使其具有更匀称的织构组分。。。。。。。。

宜楠[13]通过对电子束熔炼、铸造、轧制、热处置惩罚等要害工艺举行优化调解，，，，，，，获得了织构以{111}型为主晶粒尺寸小于100 滋m性能优良的钽靶。。。。。。。。王国栋[17]研究了电子束熔炼的高纯铌锭在加热1 100 益高温镦造再通过换向轧制制备的Nb 靶材，，，，，，，其晶粒取向一致，，，，，，，晶粒巨细漫衍匀称。。。。。。。。笔者对纯Nb 板靶材也举行了一系列试验。。。。。。。。电子束熔炼的粗大晶粒纯Nb 铸锭通过铸造、退火、再经60 %变形量的轧制，，，，，，，再举行约1 200 益左右的制品退火获得7.5 级晶粒度（平均晶粒数为1 400 个/mm2），，，，，，，组织匀称、性能优良的纯Nb靶材。。。。。。。。

4 、结语

近些年来，，，，，，，我国研究生产溅射靶材的单位企业在制备手艺、产品品种等方面都有很是大的前进。。。。。。。。突破了高端靶材恒久依赖入口的时势。。。。。。。。研爆发产靶材的中小型民营企业也取得了很大效果。。。。。。。。薄膜市场需求的快速生长，，，，，，，溅射靶材品种要求也越来越多，，，，，，，加速了更新换代周期，，，，，，，古板工艺也逐步不可知足要求，，，，，，，需要对工艺举行优化和刷新。。。。。。。。以后的生长偏向是要引 入新要领新工艺来解决靶材在溅射历程中微粒飞溅、使用率和导磁率等问题。。。。。。。。靶材的目的是溅镀薄膜，，，，，，，只研究靶材远远不敷，，，，，，，需要将靶材与薄膜两种研究团结起来，，，，，，，起劲增进靶材制备手艺的刷新与生长。。。。。。。。

参考文献：

[1] 陈海峰，，，，，，，薛莹洁.海内外磁控溅射靶材的研究希望[J].外貌手艺，，，，，，，2016，，，，，，，45（10）：56-63.

CHEN Haifeng，，，，，，，XUE Yingjie. Research progress of magnetronsputtering target at home and abroad [J]. Surface Technology，，，，，，，2016，，，，，，，45（10）：56-63.

[2] 刘志坚，，，，，，，陈远星，，，，，，，黄伟嘉，，，，，，，等. 溅射靶材的应用及制备初探[J].南方金属，，，，，，，2003（6）：23-24.

LIU Zhijian，，，，，，，CHEN Yuanxing，，，，，，，HUANG Weijia，，，，，，，et al.Manufactureand application of sputtering target materials [J].Southern Metals，，，，，，，2003（6）：23-24.

[3] 金永中，，，，，，，刘东亮，，，，，，，陈建.溅射靶材的制备及应用研究[J].四川理工学院学报（自然科学版），，，，，，，2005，，，，，，，18（3）：22-24.

JINYongzhong，，，，，，，LIUDongliang，，，，，，，CHENJian.Studying on manufactureand application of sputtering target materials [J].Journal of SichuanUniversity of Science & Engineering （Natural Science Edition），，，，，，，2005，，，，，，，18（3）：22-24.

[4] 储志强.海内外磁控溅射靶材的现状及生长趋势[J].金属质料与冶金工程，，，，，，，2011（4）：44-49.

CHU Zhiqiang. The present status and development trend of mag netron sputtering target at home and abroad[J]. Metal Materials and Metallurgy Engineering，，，，，，，2011（4）：44-49.

[5] 殷为宏，，，，，，，汤慧萍.难熔金属质料与工程应用[M].北京：冶金工业出书社，，，，，，，2012：253.

[6] 王大勇，，，，，，，顾小龙.靶材制备研究现状及研发趋势[J].浙江冶金，，，，，，，2007（4）：1-9.

WANG Dayong，，，，，，，GU Xiaolong. Research Status and DevelopmentTrend of Target Preparation [J]. Journal of Zhejiang Metallurgy，，，，，，，2007（4）：1-9.

[7] 魏修宇.半导体用高纯钨靶材的制备手艺与应用[J].硬质合金，，，，，，，2017，，，，，，，34（5）：353-359.

WEI Xiuyu.Preparation technology and application of high puritytungsten target for semiconductor [J].Cemented Carbide，，，，，，，2017，，，，，，，34（5）：353-359.

[8] 尚再艳，，，，，，，江轩，，，，，，，李勇军，，，，，，，等.集成电路制造用溅射靶材[J].有数金属，，，，，，，2016，，，，，，，29（4）：475-477.

SHANG Zaiyan，，，，，，，JIANG Xuan，，，，，，，LI Yongjun，，，，，，，et al. Sputtering targetsused in integrated circuit [J]. Chinese Journal of Rare Metals，，，，，，，2016，，，，，，，29（4）：475-477.

[9] 迟伟光，，，，，，，张凤戈，，，，，，，王铁军，，，，，，，等.溅射靶材的应用及生长远景[J].新质料工业，，，，，，，2010（11）：6-11.

CHI Weiguang，，，，，，，ZHANG Fengge，，，，，，，WANG Tiejun，，，，，，，et al.Applicationanddevelopmentprospectofsputteringtargets[J].AdvancedMaterialsIndustry，，，，，，，2010（11）：6-11.

[10] 安耿，，，，，，，李晶，，，，，，，刘仁智，，，，，，，等.钼溅射靶材的应用、制备及生长[J].中国钼业，，，，，，，2011，，，，，，，35（2）：45-48.

AN Geng，，，，，，，LI Jing，，，，，，，LIU Renzhi，，，，，，，et al. The application，，，，，，，manufacture原anddeveloping trend ofmolybdenum sputtering target [J]. ChinaMolybdenumIndustry，，，，，，，2011，，，，，，，35（2）：45-48.

[11] 沈晓月. 磁控溅射法制备CIGS 薄膜光伏电池Mo 背电极的研究[D].大连：大连工业大学，，，，，，，2013.

SHEN Xiaoyue. Study on Mo back electrode of CIGS thin filmphotovoltaic cells prepared by magnetron sputtering [D]. Dalian：Dalian Polytechnic University，，，，，，，2013.

[12] 安乐科技股份有限公司.高纯度、高致密度、大尺寸钼合金靶材的制备要领：CN105525260A[P]. 2013-09-25.

[13] 宜楠，，，，，，，权振兴，，，，，，，赵鸿磊，，，，，，，等.集成电路用钽溅射靶材制备工艺研究[J].质料开发与应用，，，，，，，2016，，，，，，，31（3）：71-75.

YI Nan，，，，，，，QUAN Zhenxing，，，，，，，ZHAO Honglei，，，，，，，et al. Research onprocessing of tantalum target for sputtering to LSIS[J]. Developmentand Application of Materials，，，，，，，2016，，，，，，，31（3）：71-75.

[14] 刘宁，，，，，，，杨辉，，，，，，，姚力军，，，，，，，等.集成电路用大尺寸高纯钽靶材的制备工艺希望[J].集成电路应用，，，，，，，2018，，，，，，，35（2）：24-28.

LIU Ning，，，，，，，YANG Hui，，，，，，，YAO Lijun，，，，，，，et al.The progresses onfabrication of large size high-purity tantalum targets for integratedcircuits[J]. Applications of IC，，，，，，，2018，，，，，，，35（2）：24-28.

[15] 潘伦桃，，，，，，，李彬，，，，，，，郑爱国，，，，，，，等.钽在集成电路中的应用[J].有数金属，，，，，，，2003，，，，，，，27（1）：28-34.

PAN Luntao，，，，，，，LI Bin，，，，，，，ZHENG Aiguo，，，，，，，et al. Application of tantalumto LSIC[J].Chinese Journal of Rare Metals，，，，，，，2003，，，，，，，27（1）：28-34.

[16] 郝小雷. 组织匀称钽溅射靶材的制备现状[J]. 山东工业手艺，，，，，，，2017（18）：63-63.

HAO Xiaolei. Preparation status of tissue homogeneous tantalumsputtering targets [J].Shandong Industrial Technology，，，，，，，2017（18）：63-63.

[17] 王国栋，，，，，，，王艳，，，，，，，李高林，，，，，，，等.溅射用优质铌靶材的制备[J].有数金属质料与工程，，，，，，，2008（4）：533-536.

WANGGuodong，，，，，，，WANGYan，，，，，，，LIGaolin，，，，，，，etal.Processingofniobiumtarget for sputting [J]. Rare Metal Materials and Engineering，，，，，，，2008（4）：533-536.

[18] 李兆博，，，，，，，张春恒，，，，，，，李桂鹏，，，，，，，等.溅射镀膜用铌靶材晶粒尺寸控制工艺研究[J]. 质料开发与应用，，，，，，，2010，，，，，，，25（6）：33-35.

LI Zhaobo，，，，，，，ZHANG Chunheng，，，，，，，LI Guipeng，，，，，，，et al. Research ongrain size controlling process of niobium target used for sputteringand coating[J]. Development and Application of Materials，，，，，，，2010，，，，，，，25（6）：33-35.

[19] 张国军，，，，，，，汪凯，，，，，，，李桂鹏，，，，，，，等.旋转镀膜铌靶材加工工艺研究[J].质料开发与应用，，，，，，，2014，，，，，，，29（6）：54-57.

ZHANG GuoJun，，，，，，，WANG Kai，，，，，，，LI Guipeng，，，，，，，et al. Processing technology of spin coating process niobium target [J]. Development andApplication of Materials，，，，，，，2014，，，，，，，29（6）：54-57.

[20] 贾国斌，，，，，，，冯寅楠，，，，，，，贾英.磁控溅射用难熔金属靶材制作、应用与生长[J].金属功效质料，，，，，，，2016，，，，，，，23（6）：48-52.

JIA Guobin，，，，，，，FENG Yinnan，，，，，，，JIA Ying.Manufacture,application anddevelopment of refractory metal target used on magnetron sputtering[J]. Metallic Functional Materials，，，，，，，2016，，，，，，，23（6）：48-52.

[21] 杨帆，，，，，，，王快社，，，，，，，胡平，，，，，，，等.高纯钼溅射靶材的研究现状及生长趋势[J].热加工工艺，，，，，，，2013（24）：10-12.

YANG Fan，，，，，，，WANG Kuaishe，，，，，，，HU Ping，，，，，，，et al. Research status anddevelopment trend of high purity molybdenum sputtering targetmaterial[J]. Hot Working Technology，，，，，，，2013（24）：10-12.

[22] 朱琦，，，，，，，王林，，，，，，，杨秦莉，，，，，，，等.钼管靶材的挤压理论与组织性能剖析[J].中国钼业，，，，，，，2014（4）：50-53.

ZHU Qi，，，，，，，WANG Lin，，，，，，，YANG Qinli，，，，，，，et al. Extrusion theory andanalysis on microstructure and properties of molybdenum tubetarget[J]. China MolybdenumIndustry，，，，，，，2014（4）：50-53.

[23] 郭让民.高纯钨溅射靶材制取工艺研究[J].中国钼业，，，，，，，1997（增刊1）：39-41.

GUORangmin. Study on preparation of high pure tungsten materials[J]. China MolybdenumIndustry，，，，，，，1997（supply1）：39-41.

相关链接